存儲報價水漲船高，三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體部門和SK海力士(SK Hynix)上半年大賺一票。最新數(shù)據(jù)顯示，韓國五月份半導(dǎo)體出口創(chuàng)歷史新高。

根據(jù)韓國工商業(yè)能源部(MOCIE)公布數(shù)據(jù)，五月份半導(dǎo)體出口額來到76億美元，較去年同期跳增56%，主要歸功于DRAM與系統(tǒng)半導(dǎo)體出口強(qiáng)勁。

從半導(dǎo)體設(shè)備出貨數(shù)據(jù)判斷，韓國或許已超越臺灣成為全球最大半導(dǎo)體制造地。國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）數(shù)據(jù)顯示，韓國今年第一季半導(dǎo)體設(shè)備采購額來到35.3億美元，較去年同期暴增110%，同時間中國臺灣成長84%至34.8億美元。

中國大陸第一季半導(dǎo)體體設(shè)備采購額來到20.1億美元，全球排名第三，但與去年第四季做比較，季增率達(dá)74%，位居是全球之首。北美、日本同期間分別成長3%與19%，歐洲則是下滑1%。

整體來看，全球首季半導(dǎo)體設(shè)備出貨來到歷史新高的131億美元，較前季成長14%、較去年同期成長58%。但韓媒警告，當(dāng)前的繁榮景象恐怕只是暫時性的，來自中國的隱憂，恐讓韓國半導(dǎo)體業(yè)大受打擊。

南韓媒體Business Korea日前報導(dǎo)，UBS Securities今(2017)年2月就曾出言示警，聲稱中國IT業(yè)者大舉建立庫存，是半導(dǎo)體報價去年大漲的主因，下半年DRAM、NAND型快閃存儲恐將嚴(yán)重過剩。

仔細(xì)分析中國國家統(tǒng)計局的資料就可發(fā)現(xiàn)，在2015年1-8月期間，中國的半導(dǎo)體庫存從人民幣2,775億元一路上沖至歷史高3,330億元，隨后在2016年1月下滑至2,784億美元，直到2017年4月才反彈至3,305億元。然而，最近中國的半導(dǎo)體庫存年增率只有個位數(shù)、甚至負(fù)成長，遠(yuǎn)不如2015年的20-50%成長率。也就是說，目前中國IT企業(yè)并未大舉建立庫存。業(yè)界消息顯示，部分陸企今年第一季開始減產(chǎn)、零組件訂單的縮減幅度也比往年還要高。

不只如此，DRAM、NAND型快閃存儲下半年的供應(yīng)量勢將跳增，供需日益失衡。三星位于平澤市的新廠預(yù)定7月投產(chǎn)，SK海力士在利川的M14廠房則已開始擴(kuò)充產(chǎn)能。美光(Micron Technology)也在拉高DRAM、NAND型快閃存儲的產(chǎn)量，英特爾(Intel Corp.)則計劃在下半年生產(chǎn)NAND型快閃存儲。另外，紫光集團(tuán)等中國半導(dǎo)體業(yè)者，也預(yù)定會在明年增添供給量。

先前就有報導(dǎo)直指，三星電子率先量產(chǎn)18納米DRAM，把同業(yè)拋在腦后。競爭對手美光和SK海力士則不甘示弱，紛紛砸錢要追上三星。

Nikkei Asian Review、BusinessKorea報導(dǎo)，三星是DRAM龍頭，制程領(lǐng)先對手1~2年，2016年下半首先量產(chǎn)18納米DRAM，計畫今年下半推進(jìn)至15納米。IHS Markit估計，今年底為止，三星打算把18納米DRAM的生產(chǎn)比重，提高至30%。業(yè)界人士說，三星會以利潤優(yōu)先，不會擴(kuò)產(chǎn)搶市，打亂價格。

三星一馬當(dāng)先，DRAM第三大廠美光拼命追趕，計畫未來兩三年砸下20億美元，研發(fā)13納米DRAM制程。美光在日本廣島廠增設(shè)無塵室設(shè)備，并購買了多項高價生產(chǎn)儀器。進(jìn)入13納米制程之后，同一片晶圓能分割成更多芯片，生產(chǎn)力將提高20%。美光已于今年第一季量產(chǎn)18納米DRAM。

與此同時，SK海力士也準(zhǔn)備在今年下半量產(chǎn)電腦用的18納米DRAM，接著再投入行動裝置用的18納米DRAM。SK海力士會優(yōu)先提高21納米制程良率，之后轉(zhuǎn)進(jìn)20納米、再轉(zhuǎn)向18納米。SK海力士人員透露，該公司正在研發(fā)1y DRAM制程，但是還不確定量產(chǎn)時間。

2017-06-19  來源：OFweek電子工程網(wǎng)