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聲光暫掩的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況
開年以來大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進(jìn)入沉潛期。首先是年初長江存儲CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過32層3D NAND Flash今年量產(chǎn)的消息。接下來是中芯國際董事長周子學(xué)表達(dá)的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”，指出要花至少15年的時(shí)間，大陸才能發(fā)展出比較有市場競爭力的企業(yè)主體。再來是最近紫光集團(tuán)表示，由于長江存儲的存儲器芯片工廠專案投資規(guī)模過大，目前尚處于建設(shè)初期，短期無法產(chǎn)生銷售收入，時(shí)機(jī)不成熟，停止收購長江存儲的股份。雖然似乎大陸整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)其發(fā)展動能，但是較諸于2、3年前風(fēng)風(fēng)火火的在世界四處并購的意氣，頗有急景凋年的味道。
其實(shí)這是整體戰(zhàn)略經(jīng)過階段性實(shí)踐后的反思，也許對長遠(yuǎn)的發(fā)展是有益的。譬如當(dāng)初長江存儲發(fā)布研發(fā)32層3D NAND Flash時(shí)，我遠(yuǎn)比年初看到它否認(rèn)今年量產(chǎn)的消息還吃驚。長江存儲NAND Flash據(jù)報(bào)導(dǎo)用的是Spansion的技術(shù)，批評者說它原來只是NOR Flash的制造商，2012后才跟Hynix合作NAND，這二者都錯(cuò)了。Spansion與Hynix合作的是20nm、30nm和40nm嵌入式NAND，跟做stand-alone的存儲器技術(shù)差別很大，而且大概也不算成功。如果成功了，現(xiàn)在代工廠eMRAM就沒有問世的迫切性。另外，Spansion在2007、08年也生產(chǎn)過NAND Flash，不過良率有待改善，而且速度較慢。速度慢對于3D應(yīng)用障礙很大，因?yàn)?D就是容量大，元件運(yùn)作慢或介面慢，容量大就白搭了。所以對當(dāng)時(shí)公司的樂觀實(shí)在是一頭霧水。
“三步走”在發(fā)展時(shí)程上看法比較中肯?，F(xiàn)在邏輯制程的前沿是10nm，還有7nm（2018）、5nm（2020）與3nm（？）要走，這是看得到的，也許還可以有小延伸。在摩爾定律終結(jié)之前，后進(jìn)者的持續(xù)虧損近乎無可避免。代工如是、存儲器亦復(fù)如是。所以單純用商業(yè)投資的眼光來看，紫光的停止收購長江存儲股權(quán)也是勢所必然。只是有個(gè)小注腳，要是我就不敢提“政府大力支持”、“國家資金支援”這等字眼。當(dāng)初Hynix被各國懲以counter-veiling tax的殷鑒不遠(yuǎn)。
但是大陸的持續(xù)大額半導(dǎo)體資金投入還是必要的，我認(rèn)為投資的重點(diǎn)應(yīng)該在運(yùn)作環(huán)境、基礎(chǔ)設(shè)施以及人才培育上，而不在于追趕先進(jìn)制程，這樣可以少些花費(fèi)；先進(jìn)制程反正幾年內(nèi)追趕不上，但它終將緩慢下來而變得普及，這時(shí)候再追平費(fèi)力少。大陸的半導(dǎo)體內(nèi)需市場龐大，“中國制造2025”計(jì)劃中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自給率的指標(biāo)為2020年達(dá)到40%，2025年達(dá)到70%。姑且不論這些時(shí)程是否可能，單只是從人數(shù)上有經(jīng)驗(yàn)的人才必須再翻幾倍，只有從現(xiàn)在開始大幅擴(kuò)編，并且要在有經(jīng)營、管理壓力的實(shí)作環(huán)境中培育才有可能。大量投資的可能虧損就當(dāng)是基礎(chǔ)建設(shè)，來日再自償。
倒是后摩爾時(shí)代兩條研發(fā)主軸人工智能以及新物質(zhì)開發(fā)，大陸的商業(yè)機(jī)構(gòu)以及學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)于此已有相當(dāng)?shù)幕A(chǔ)。與此二軸線配合的半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)產(chǎn)業(yè)界發(fā)軔于40nm、28nm，投入后可以立即加入市場競爭。這是經(jīng)濟(jì)產(chǎn)出比較高的研發(fā)，而且直接在后摩爾定律時(shí)代爭取領(lǐng)先生態(tài)區(qū)位。
態(tài)度的轉(zhuǎn)變雖是好事，卻也反應(yīng)了另一個(gè)問題。這幾年大陸積極招聘制程工程研發(fā)人才乃至于高端的經(jīng)營管理人才。但是關(guān)于制高點(diǎn)的戰(zhàn)略層次似乎還在摸索的階段，而這方面人才的欠缺是最消耗資源的！
2017-08-18 來源：52RD.com我愛研發(fā)網(wǎng)
其實(shí)這是整體戰(zhàn)略經(jīng)過階段性實(shí)踐后的反思，也許對長遠(yuǎn)的發(fā)展是有益的。譬如當(dāng)初長江存儲發(fā)布研發(fā)32層3D NAND Flash時(shí)，我遠(yuǎn)比年初看到它否認(rèn)今年量產(chǎn)的消息還吃驚。長江存儲NAND Flash據(jù)報(bào)導(dǎo)用的是Spansion的技術(shù)，批評者說它原來只是NOR Flash的制造商，2012后才跟Hynix合作NAND，這二者都錯(cuò)了。Spansion與Hynix合作的是20nm、30nm和40nm嵌入式NAND，跟做stand-alone的存儲器技術(shù)差別很大，而且大概也不算成功。如果成功了，現(xiàn)在代工廠eMRAM就沒有問世的迫切性。另外，Spansion在2007、08年也生產(chǎn)過NAND Flash，不過良率有待改善，而且速度較慢。速度慢對于3D應(yīng)用障礙很大，因?yàn)?D就是容量大，元件運(yùn)作慢或介面慢，容量大就白搭了。所以對當(dāng)時(shí)公司的樂觀實(shí)在是一頭霧水。
“三步走”在發(fā)展時(shí)程上看法比較中肯?，F(xiàn)在邏輯制程的前沿是10nm，還有7nm（2018）、5nm（2020）與3nm（？）要走，這是看得到的，也許還可以有小延伸。在摩爾定律終結(jié)之前，后進(jìn)者的持續(xù)虧損近乎無可避免。代工如是、存儲器亦復(fù)如是。所以單純用商業(yè)投資的眼光來看，紫光的停止收購長江存儲股權(quán)也是勢所必然。只是有個(gè)小注腳，要是我就不敢提“政府大力支持”、“國家資金支援”這等字眼。當(dāng)初Hynix被各國懲以counter-veiling tax的殷鑒不遠(yuǎn)。
但是大陸的持續(xù)大額半導(dǎo)體資金投入還是必要的，我認(rèn)為投資的重點(diǎn)應(yīng)該在運(yùn)作環(huán)境、基礎(chǔ)設(shè)施以及人才培育上，而不在于追趕先進(jìn)制程，這樣可以少些花費(fèi)；先進(jìn)制程反正幾年內(nèi)追趕不上，但它終將緩慢下來而變得普及，這時(shí)候再追平費(fèi)力少。大陸的半導(dǎo)體內(nèi)需市場龐大，“中國制造2025”計(jì)劃中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自給率的指標(biāo)為2020年達(dá)到40%，2025年達(dá)到70%。姑且不論這些時(shí)程是否可能，單只是從人數(shù)上有經(jīng)驗(yàn)的人才必須再翻幾倍，只有從現(xiàn)在開始大幅擴(kuò)編，并且要在有經(jīng)營、管理壓力的實(shí)作環(huán)境中培育才有可能。大量投資的可能虧損就當(dāng)是基礎(chǔ)建設(shè)，來日再自償。
倒是后摩爾時(shí)代兩條研發(fā)主軸人工智能以及新物質(zhì)開發(fā)，大陸的商業(yè)機(jī)構(gòu)以及學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)于此已有相當(dāng)?shù)幕A(chǔ)。與此二軸線配合的半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)產(chǎn)業(yè)界發(fā)軔于40nm、28nm，投入后可以立即加入市場競爭。這是經(jīng)濟(jì)產(chǎn)出比較高的研發(fā)，而且直接在后摩爾定律時(shí)代爭取領(lǐng)先生態(tài)區(qū)位。
態(tài)度的轉(zhuǎn)變雖是好事，卻也反應(yīng)了另一個(gè)問題。這幾年大陸積極招聘制程工程研發(fā)人才乃至于高端的經(jīng)營管理人才。但是關(guān)于制高點(diǎn)的戰(zhàn)略層次似乎還在摸索的階段，而這方面人才的欠缺是最消耗資源的！
2017-08-18 來源：52RD.com我愛研發(fā)網(wǎng)
