厲害了!中國(guó)人又點(diǎn)出一項(xiàng)雷達(dá)組件黑科技?
【觀察者網(wǎng)綜合報(bào)道】中國(guó)電科(CETC)第五十五研究所(NEDI)微信公眾號(hào)4月12日?qǐng)?bào)道,該所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室張凱博士發(fā)表在國(guó)際半導(dǎo)體器件權(quán)威期刊《IEEE Electron DeviceLetters》上的論文《High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications》即《三維鰭式GaN高線性微波功率器件》被國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)著名雜志《Semiconductor Today》進(jìn)行專欄報(bào)道,受到國(guó)內(nèi)外業(yè)界關(guān)注。
而CETC第五十五研究所是我國(guó)大型電子器件研究、開(kāi)發(fā)及應(yīng)用研究所之一,擁有砷化鎵微波毫米波單片和模塊電路國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家平板顯示工程技術(shù)研究中心, 主要從事微電子、光電子、真空電子和MEMS等領(lǐng)域的各種器件、電路、部件和整機(jī)系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。對(duì)于我國(guó)國(guó)防工業(yè)來(lái)說(shuō),該所最大的貢獻(xiàn)莫過(guò)于研發(fā)的T/R組件,即無(wú)線電收發(fā)模塊,主要應(yīng)用于各種相控陣?yán)走_(dá)上,包括戰(zhàn)斗機(jī)火控雷達(dá),預(yù)警機(jī),“中華神盾”和防空用雷達(dá)等。
影響相控陣?yán)走_(dá)的除了雷達(dá)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)之外,作為最前端負(fù)責(zé)無(wú)線電收發(fā)的T/R組件性能對(duì)雷達(dá)整體性能的影響也是非常大的。目前國(guó)際主流的T/R組件類型有砷化鎵和氮化鎵兩種,其中氮化鎵是近幾年才出現(xiàn)的新興事物,不光應(yīng)用于雷達(dá)射頻等設(shè)備,無(wú)線電通信也非常需要高性能的氮化鎵半導(dǎo)體組件。
在當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始推進(jìn)各種三維結(jié)構(gòu)芯片的潮流下,引入三維結(jié)構(gòu),將GaN二維器件改進(jìn)成三維結(jié)構(gòu),可以說(shuō)是一大創(chuàng)新。簡(jiǎn)單的說(shuō),一樣的功耗,體積的T/R組件,將能提供出更精確的雷達(dá)波形和更高的射頻功率,在不增加外部能耗需求的情況下,進(jìn)一步提高雷達(dá)基本性能。(2017年04月16日 10:35 觀察者網(wǎng))
《Semiconductor Today》報(bào)道截圖
NEDI提出的高線性GaN FinFET器件以及跨導(dǎo)特性
而CETC第五十五研究所是我國(guó)大型電子器件研究、開(kāi)發(fā)及應(yīng)用研究所之一,擁有砷化鎵微波毫米波單片和模塊電路國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家平板顯示工程技術(shù)研究中心, 主要從事微電子、光電子、真空電子和MEMS等領(lǐng)域的各種器件、電路、部件和整機(jī)系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。對(duì)于我國(guó)國(guó)防工業(yè)來(lái)說(shuō),該所最大的貢獻(xiàn)莫過(guò)于研發(fā)的T/R組件,即無(wú)線電收發(fā)模塊,主要應(yīng)用于各種相控陣?yán)走_(dá)上,包括戰(zhàn)斗機(jī)火控雷達(dá),預(yù)警機(jī),“中華神盾”和防空用雷達(dá)等。
影響相控陣?yán)走_(dá)的除了雷達(dá)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)之外,作為最前端負(fù)責(zé)無(wú)線電收發(fā)的T/R組件性能對(duì)雷達(dá)整體性能的影響也是非常大的。目前國(guó)際主流的T/R組件類型有砷化鎵和氮化鎵兩種,其中氮化鎵是近幾年才出現(xiàn)的新興事物,不光應(yīng)用于雷達(dá)射頻等設(shè)備,無(wú)線電通信也非常需要高性能的氮化鎵半導(dǎo)體組件。
同為中電集團(tuán)下屬14所生產(chǎn)的KLJ-7A相控陣?yán)走_(dá),安裝有多達(dá)1000多個(gè)T/R組件
在當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始推進(jìn)各種三維結(jié)構(gòu)芯片的潮流下,引入三維結(jié)構(gòu),將GaN二維器件改進(jìn)成三維結(jié)構(gòu),可以說(shuō)是一大創(chuàng)新。簡(jiǎn)單的說(shuō),一樣的功耗,體積的T/R組件,將能提供出更精確的雷達(dá)波形和更高的射頻功率,在不增加外部能耗需求的情況下,進(jìn)一步提高雷達(dá)基本性能。(2017年04月16日 10:35 觀察者網(wǎng))