“中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了黃金時(shí)代?！边@是近幾年我們最常聽(tīng)到的一句話(huà)。
 
中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展自新中國(guó)成立以來(lái)，積累了數(shù)代人的心血，值此國(guó)慶之際，讓我們回顧那60年的風(fēng)風(fēng)雨雨。
 
中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展可以追溯到解放初期的1953年，半導(dǎo)體已經(jīng)被列入第一次和第二次5年計(jì)劃的重點(diǎn)科技公關(guān)項(xiàng)目，這階段可以說(shuō)是中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的草創(chuàng)時(shí)期。此后由于國(guó)內(nèi)和國(guó)際形勢(shì)的劇烈變化，國(guó)家?guī)缀跬Ｖ沽藢?duì)半導(dǎo)體行業(yè)的投入?！霸訌椫浮卞X(qián)學(xué)森曾經(jīng)這樣感慨道：60年代，我們?nèi)ν度搿皟蓮椧恍恰保覀兊玫胶芏啵?0年代我們沒(méi)有搞半導(dǎo)體，我們?yōu)榇耸ズ芏唷?br />  
從無(wú)到有：草創(chuàng)時(shí)期
 
1956年，我國(guó)提出“向科學(xué)進(jìn)軍”，根據(jù)國(guó)外發(fā)展電子器件的進(jìn)程，提出了中國(guó)也要研究半導(dǎo)體科學(xué)，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國(guó)家四大緊急措施之一。
 
從半導(dǎo)體材料開(kāi)始，自力更生研究半導(dǎo)體器件。為了落實(shí)發(fā)展半導(dǎo)體規(guī)劃，中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉辦了半導(dǎo)體器件短期培訓(xùn)班。請(qǐng)回國(guó)的半導(dǎo)體專(zhuān)家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導(dǎo)體理論、晶體管制造技術(shù)和半導(dǎo)體線(xiàn)路。

 
在五所大學(xué)――北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)開(kāi)辦了半導(dǎo)體物理專(zhuān)業(yè)，共同培養(yǎng)第一批半導(dǎo)體人才。培養(yǎng)出了第一批著名的教授：北京大學(xué)的黃昆、復(fù)旦大學(xué)的謝希德、吉林大學(xué)的高鼎三。1957年畢業(yè)的第一批研究生中有中國(guó)科學(xué)院院士王陽(yáng)元（北京大學(xué)微電子所所長(zhǎng)）、工程院院士許居衍（華晶集團(tuán)中央研究院院長(zhǎng)）和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺（北方華虹設(shè)計(jì)公司董事長(zhǎng)）。
 
與此同時(shí)，中國(guó)半導(dǎo)體材料從鍺（Ｇｅ）開(kāi)始。通過(guò)提煉煤灰制備了鍺材料。

 
1959年，天津拉制出硅（Si）單晶。
 
為了加強(qiáng)半導(dǎo)體的研究，1960年，中科院在北京建立半導(dǎo)體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專(zhuān)業(yè)化研究所――第十三所，即現(xiàn)在的河北半導(dǎo)體研究所。
 
到六十年代初，中國(guó)半導(dǎo)體器件開(kāi)始在工廠(chǎng)生產(chǎn)。此時(shí)，國(guó)內(nèi)搞半導(dǎo)體器件的已有十幾個(gè)廠(chǎng)點(diǎn)。當(dāng)時(shí)北方以北京電子管廠(chǎng)為代表，生產(chǎn)了ＩＩ－６低頻合金管和ＩＩ４０１高頻合金擴(kuò)散管；南方以上海元件五廠(chǎng)為代表。
 
1962年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導(dǎo)體打下了基礎(chǔ)。
 
硅器件開(kāi)始搞的是合金管。1962年，我國(guó)研究制成硅外延工藝，并開(kāi)始研究采用照相制版，光刻工藝。
 
1963年，河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管。
 
1964年，河北省半導(dǎo)體研究所研制出硅外延平面型晶體管。在平面管之前不久，也搞過(guò)錯(cuò)和硅的臺(tái)面擴(kuò)散管，但一旦平面管研制出來(lái)后，絕大部分器件采用平面結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗m合于批量生產(chǎn)。
 
當(dāng)時(shí)接制的單晶棒的直徑很小，也不規(guī)則。一般將硅片切成方片的形狀，如7*7、10*10、15*15平方毫米。后來(lái)單晶直徑拉大些后，就開(kāi)始采用不規(guī)則的圓片，但直徑一般在35-40ｍｍ之間。
 
1965年12月，河北半導(dǎo)體研究所召開(kāi)鑒定會(huì)，鑒定了第一批半導(dǎo)體管，并在國(guó)內(nèi)首先鑒定了DTL型（二極管――晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。1966年底，在工廠(chǎng)范圍內(nèi)上海元件五廠(chǎng)鑒定了TTL電路產(chǎn)品。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門(mén)為主，還有與非驅(qū)動(dòng)器、與門(mén)、或非門(mén)、或門(mén)、以及與或非電路等。標(biāo)志著中國(guó)已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。

 
在半導(dǎo)體器件批量生產(chǎn)之后，六十年代主要用來(lái)生產(chǎn)晶體管收音機(jī)，電子管收音機(jī)在體積上大為縮小，重量大為減輕。一般老百姓把晶體管收音機(jī)俗稱(chēng)為“半導(dǎo)體”。它在六十年代成為普通居民所要購(gòu)買(mǎi)的“四大件”之一。（其他三大件為縫紉機(jī)、自行車(chē)和手表）另一方面，新品開(kāi)發(fā)主要研究方向是硅高頻大功率管，目的是要把部隊(duì)所用的采用電子管的“八一”電臺(tái)換裝為采用晶體管的“小八一”電臺(tái)，它曾是河北半導(dǎo)體所和北京電子管廠(chǎng)當(dāng)年的主攻任務(wù)。

 
除了收訊放大管之外，之后也開(kāi)發(fā)了開(kāi)關(guān)管。中國(guó)科學(xué)院在半導(dǎo)體所之外建立了一所實(shí)驗(yàn)工廠(chǎng)，取名109廠(chǎng)。（后改建為微電子中心）它所生產(chǎn)的開(kāi)關(guān)管，供中國(guó)科學(xué)院計(jì)算研究所研制成第二代計(jì)算機(jī)。隨后在北京有線(xiàn)電廠(chǎng)等工廠(chǎng)批量生產(chǎn)了DJS-121型鍺晶體管計(jì)算機(jī)，速度達(dá)到1萬(wàn)次以上。后來(lái)還研制出速度更快的108機(jī)，以及速度達(dá)28萬(wàn)次、容量更大的DJS-320型中型計(jì)算機(jī)，該機(jī)采用硅開(kāi)關(guān)管。
 
總之，向科學(xué)進(jìn)軍的號(hào)如下，中國(guó)的知識(shí)分子、技術(shù)人員在外界封鎖的環(huán)境下，在海外回國(guó)的一批半導(dǎo)體學(xué)者帶領(lǐng)下，憑藉知識(shí)和實(shí)驗(yàn)室發(fā)展到實(shí)驗(yàn)性工廠(chǎng)和生產(chǎn)性工廠(chǎng)，開(kāi)始建立起自己的半導(dǎo)體行業(yè)。這期間蘇聯(lián)曾派過(guò)半導(dǎo)體專(zhuān)家來(lái)指導(dǎo)，但很快因中蘇關(guān)系惡化而撤走了。
 
砥礪前行：發(fā)展初期
 
1968年，組建國(guó)營(yíng)東光電工廠(chǎng)（878廠(chǎng)）、上海無(wú)線(xiàn)電十九廠(chǎng)，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。

 
在發(fā)展雙極型電路之后，不久也開(kāi)始研究MOS電路。
 
1968年，上海無(wú)線(xiàn)電十四廠(chǎng)首家制成PMOS（P型金屬－氧化物半導(dǎo)體）電路（MOSIC）。拉開(kāi)了我國(guó)發(fā)展MOS電路的序幕，并在七十年代初，永川半導(dǎo)體研究所（現(xiàn)電子第24所）、上無(wú)十四廠(chǎng)和北京878廠(chǎng)相繼研制成功NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。
 
到七十年代初期，永川半導(dǎo)體研究所，即24所，（它由石家莊13所十一室搬到四川水川擴(kuò)大而建的）上無(wú)十四廠(chǎng)和北京878廠(chǎng)相繼研制成NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。

在七十年代初期，由于受?chē)?guó)外IC迅速發(fā)展和國(guó)內(nèi)“電子中心論”的影響，加上當(dāng)時(shí)IC的價(jià)格偏高（一塊與非門(mén)電路不變價(jià)曾哀達(dá)500元，利潤(rùn)較大，銷(xiāo)售利潤(rùn)率有的廠(chǎng)高達(dá)40%以上），而貨源又很緊張，因而造成各地IC廠(chǎng)點(diǎn)大量涌現(xiàn)，曾經(jīng)形成過(guò)一股“IC熱”。
 
當(dāng)時(shí)，共有四十多家集成電路工廠(chǎng)建成，四機(jī)部所屬?gòu)S有749廠(chǎng)（永紅器材廠(chǎng)）、871（天光集成電路廠(chǎng)）、878（東光電工廠(chǎng)）、4433廠(chǎng)（風(fēng)光電工廠(chǎng)）和4435廠(chǎng)（韶光電工廠(chǎng)）等。各省市所建廠(chǎng)主要有：上海元件五廠(chǎng)、上無(wú)七廠(chǎng)、上無(wú)十四廠(chǎng)、上無(wú)十九廠(chǎng)、蘇州半導(dǎo)體廠(chǎng)、常州半導(dǎo)體廠(chǎng)、北京半導(dǎo)體器件二廠(chǎng)、三廠(chǎng)、五廠(chǎng)、六廠(chǎng)、天津半導(dǎo)體（一）廠(chǎng)、航天部西安691廠(chǎng)等等。
 
1972年，中國(guó)第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功。
 
為了提高工藝設(shè)備的技術(shù)水平，并了解國(guó)外IC發(fā)展的狀況，在1973年中日邦交恢復(fù)一周年之際，中國(guó)組織了由14人參加的電子工業(yè)考察團(tuán)赴日本考察IC產(chǎn)業(yè)，參觀(guān)了日本當(dāng)時(shí)八大IC公司：日立、ＮＥＣ、東芝、三菱、富士通、三洋、沖電氣和夏普，以及不少設(shè)備制造廠(chǎng)。原先想與NEC談成全線(xiàn)引進(jìn)，因政治和資金原因沒(méi)有成勻丟失了一次機(jī)遇。后來(lái)改為由七個(gè)單位從國(guó)外購(gòu)買(mǎi)單位臺(tái)設(shè)備，期望建成七條工藝線(xiàn)。最后成線(xiàn)的只有北京878廠(chǎng)，航天部陜西驪山771所和貴州都勻4433廠(chǎng)。
 
此后，為了加速發(fā)展LSI，中國(guó)接連召開(kāi)了三次全國(guó)性會(huì)議，第一次1974年在北京召開(kāi)，第二次，1975年在上海召開(kāi)；第三次，1977年在大三線(xiàn)貴州省召開(kāi)。
 
1976年11月，中國(guó)科學(xué)院計(jì)算所研制成功1000萬(wàn)次大型電子計(jì)算機(jī)，所使用的電路為中國(guó)科學(xué)院109廠(chǎng)（現(xiàn)中科院微電子中心）研制的ECL型（發(fā)射極耦合邏輯）電路。
 
這一階段，從研制小規(guī)模到大規(guī)模電路，在技術(shù)上中國(guó)都依靠自己的力量，只是從國(guó)外進(jìn)口了一些水平較低的工藝設(shè)備，與國(guó)外差距逐漸加大。在這期間美國(guó)和日本已先后進(jìn)入IC規(guī)模生產(chǎn)的階段。
 
1982年，江蘇無(wú)錫的江南無(wú)線(xiàn)電器材廠(chǎng)（742廠(chǎng)）IC生產(chǎn)線(xiàn)建成驗(yàn)收投產(chǎn)，這是一條從日本東芝公司全面引進(jìn)彩色和黑白電視機(jī)集成電路生產(chǎn)線(xiàn)，不僅擁有部封裝，而且有3英寸全新工藝設(shè)備的芯片制造線(xiàn)，不但引進(jìn)了設(shè)備和凈化廠(chǎng)房及動(dòng)力設(shè)備等“硬件”，而且還引進(jìn)了制造工藝技術(shù)“軟件”。這是中國(guó)第一次從國(guó)外引進(jìn)集成電路技術(shù)。
 
第一期742廠(chǎng)共投資2.7億元（6600萬(wàn)美元），建設(shè)目標(biāo)是月投10000片3英寸硅片的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)2648萬(wàn)塊IC成品，產(chǎn)品為雙極型消費(fèi)類(lèi)線(xiàn)性電路，包括電視機(jī)電路和音響電路。到1984年達(dá)產(chǎn)，產(chǎn)量達(dá)到3000萬(wàn)塊，成為中國(guó)技術(shù)先進(jìn)、規(guī)模最大，具有工業(yè)化大生產(chǎn)的專(zhuān)業(yè)化工廠(chǎng)。

 
1983年，針對(duì)當(dāng)時(shí)多頭引進(jìn)，重復(fù)布點(diǎn)的情況，國(guó)務(wù)院大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組提出“治散治亂”，集成電路要“建立南北兩個(gè)基地和一個(gè)點(diǎn)”的發(fā)展戰(zhàn)略，南方基地主要指上海、江蘇和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈陽(yáng)，一個(gè)點(diǎn)指西安，主要為航天配套。

 
1988年，871廠(chǎng)紹興分廠(chǎng)，改名為華越微電子有限公司。
 
1988年9月，上無(wú)十四廠(chǎng)在技術(shù)引進(jìn)項(xiàng)目，建了新廠(chǎng)房的基礎(chǔ)上，成立了中外合資公司――上海貝嶺微電子制造有限公司。
 
1988年，在上海元件五廠(chǎng)、上無(wú)七廠(chǎng)和上無(wú)十九廠(chǎng)聯(lián)合搞技術(shù)引進(jìn)項(xiàng)目的基礎(chǔ)上，組建成中外合資公司――上海飛利浦半導(dǎo)體公司（現(xiàn)在的上海先進(jìn)）。
 
1989年2月，機(jī)電部在無(wú)錫召開(kāi)“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出了“加快基地建設(shè)，形成規(guī)模生產(chǎn)，注重發(fā)展專(zhuān)用電路，加強(qiáng)科研和支持條件，振興集成電路產(chǎn)業(yè)”的發(fā)展戰(zhàn)略。
 
1989年8月8日，742廠(chǎng)和永川半導(dǎo)體研究所無(wú)錫分所合并成立了中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司。
 
第一次大投入：九零工程
 
1990年10月，國(guó)家計(jì)委和機(jī)電部在北京聯(lián)合召開(kāi)了有關(guān)領(lǐng)導(dǎo)和專(zhuān)家參加的座談會(huì)，并向黨中央進(jìn)行了匯報(bào)，決定實(shí)施九零工程。

 
1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司――首鋼NEC電子有限公司。
 
1995年，電子部提出“九五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略：以市場(chǎng)為導(dǎo)向，以CAD為突破口，產(chǎn)學(xué)研用相結(jié)合，以我為主，開(kāi)展國(guó)際合作，強(qiáng)化投資，加強(qiáng)重點(diǎn)工程和技術(shù)創(chuàng)新能力的建設(shè)，促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入良性循環(huán)。
 
1995年10月，電子部和國(guó)家外專(zhuān)局在北京聯(lián)合召開(kāi)國(guó)內(nèi)外專(zhuān)家座談會(huì)，獻(xiàn)計(jì)獻(xiàn)策，加速我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。11月，電子部向國(guó)務(wù)院做了專(zhuān)題匯報(bào)，確定實(shí)施九0九工程。
 

1997年7月17日，由上海華虹集團(tuán)與日本NEC公司合資組建的上海華虹NEC電子有限公司組建，總投資為12億美元，注冊(cè)資金7億美元，華虹NEC主要承擔(dān)“九0九”工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目建設(shè)。
 
1998年1月，華晶與上華合作生產(chǎn)MOS圓片合約簽定，有效期四年，華晶芯片生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始承接上華公司來(lái)料加工業(yè)務(wù)。
 
1998年1月18日，“九0八” 主體工程華晶項(xiàng)目通過(guò)對(duì)外合同驗(yàn)收，這條從朗訊科技公司引進(jìn)的0.9微米的生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)具備了月投6000片6英寸圓片的生產(chǎn)能力。
 
1998年2月，韶光與群立在長(zhǎng)沙簽訂LSI合資項(xiàng)目，投資額達(dá)2.4億元，合資建設(shè)大規(guī)模集成電路（LSI）微封裝，將形成封裝、測(cè)試集成電路5200萬(wàn)塊的生產(chǎn)能力。
 
1998年2月28日，我國(guó)第一條8英寸硅單晶拋光片生產(chǎn)線(xiàn)建成投產(chǎn)，這個(gè)項(xiàng)目是在北京有色金屬研究總院半導(dǎo)體材料國(guó)家工程研究中心進(jìn)行的。
 
1998年3月16日，北京華虹集成電路設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司與日本NEC株式會(huì)社在北京長(zhǎng)城-飯店舉行北京華虹NEC集成電路設(shè)計(jì)公司合資合同簽字儀式，新成立的合資公司其設(shè)計(jì)能力為每年約200個(gè)集成電路品種，并為華虹NEC生產(chǎn)線(xiàn)每年提供8英寸硅片兩萬(wàn)片的加工訂單。
 
1998年4月，集成電路“九0八”工程九個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)中心項(xiàng)目驗(yàn)收授牌，這九個(gè)設(shè)計(jì)中心為信息產(chǎn)業(yè)部電子第十五研究所、信息產(chǎn)業(yè)部電子第五下四研究所、上海集成電路設(shè)計(jì)公司、深圳先科設(shè)計(jì)中心、杭州東方設(shè)計(jì)中心、廣東專(zhuān)用電路設(shè)計(jì)中心、兵器第二一四研究所、北京機(jī)械工業(yè)自動(dòng)化研究所和航天工業(yè)771研究所。這些設(shè)計(jì)中心是與華晶六英寸生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目配套建設(shè)的。
 
1998年6月，上海華虹NEC九0九二期工程啟動(dòng)。
 
1998年6月12日，深港超大規(guī)模集成電路項(xiàng)目一期工程――后工序生產(chǎn)線(xiàn)及設(shè)計(jì)中心在深圳賽意法微電子有限公司正式投產(chǎn)，其集成電路封裝測(cè)試的年生產(chǎn)能力由原設(shè)計(jì)的3.18億塊提高到目前的7.3億塊，并將擴(kuò)展的10億塊的水平。
 
1998年10月，華越集成電路引進(jìn)的日本富士通設(shè)備和技術(shù)的生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始驗(yàn)收試制投 片，-該生產(chǎn)線(xiàn)以雙極工藝為主、兼顧Bi-CMOS工藝、2微米技術(shù)水平、年投5英寸硅片15萬(wàn)片、年產(chǎn)各類(lèi)集成電路芯片1億只能力的前道工序生產(chǎn)線(xiàn)及動(dòng)力配套系統(tǒng)。
 
1998年3月，由西安交通大學(xué)開(kāi)元集團(tuán)微電子科技有限公司自行設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的我國(guó)第一個(gè)-CMOS微型彩色攝像芯片開(kāi)發(fā)成功，我國(guó)視覺(jué)芯片設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)工作取得的一項(xiàng)可喜的成績(jī)。
 
1999年2月23日，上海華虹NEC電子有限公司建成試投片，工藝技術(shù)檔次從計(jì)劃中的0.5微米提升到了0.35微米，主導(dǎo)產(chǎn)品64M同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（S－DRAM）。這條生產(chǎn)線(xiàn)的建-成投產(chǎn)標(biāo)志著我國(guó)從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)。
 
 
通過(guò)“九零工程”中國(guó)建立了自己的6寸、8寸硅片和晶圓產(chǎn)線(xiàn)，初步實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體集成電路的自主化，對(duì)國(guó)防軍工的意義是重大的。
 
我們今天許多耳熟能詳?shù)腁股半導(dǎo)體公司，我們今天看到許多上市/借殼上市的軍工芯片公司，都是在“九零工程”的第一次大投入中開(kāi)始建設(shè)的。
 
隨著“九零工程”開(kāi)展，1995—2000年半導(dǎo)體集成電路芯片行業(yè)的“有效研發(fā)投入產(chǎn)值”提升了200%，2004年隨著“九零工程”項(xiàng)目全部完成，2000—2004年行業(yè)的“有效研發(fā)投入產(chǎn)值”再次提升了253%。
 
體現(xiàn)在同期上市公司業(yè)績(jī)收入：1995—2004年，上市公司整體收入半導(dǎo)體板塊增長(zhǎng)了13.6倍，分區(qū)間看，在1995—2000年大投入時(shí)期，收入規(guī)模增長(zhǎng)了6.31倍，2000—2004年，投入產(chǎn)能釋放后，收入規(guī)模增長(zhǎng)了99.56%。
 
十年：中國(guó)的崛起
 
2004年之后，到2014年，中國(guó)半導(dǎo)體集成電路芯片行業(yè)的“有效研發(fā)投入”基本是“零增長(zhǎng)”，體現(xiàn)在“有效研發(fā)投入產(chǎn)值”上，是快速下滑。而2004—2014年這十年時(shí)間，也正是中國(guó)半導(dǎo)體集成電路芯片進(jìn)口快速提升的時(shí)期，芯片的進(jìn)口超過(guò)石油，每年2200-2300億美金進(jìn)口額，折合人民幣是1.5萬(wàn)億。
 
但是在這十年中，成立了很多在如今赫赫有名的公司。
 
2000年
·4月，中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司成立。
·6月，國(guó)務(wù)院18號(hào)文件《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》公布。
·7月，科技部依次批準(zhǔn)上海、西安、無(wú)錫、北京、成都、杭州、深圳共7個(gè)國(guó)家級(jí)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地。
·11月，上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司在上海浦東開(kāi)工奠基。
2001年
·2月，直徑8英寸硅單晶拋光片國(guó)家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程項(xiàng)目在北京有色金屬研究總院建成投產(chǎn)。
·3月，國(guó)務(wù)院第36次常務(wù)會(huì)議通過(guò)了《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》。
 
2002年
·9月，龍芯1號(hào)在中科院計(jì)算所誕生。
·11月，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶。

2003年
·3月，杭州士蘭微電子股份有限公司上市，成為國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)第一股。
·6月，臺(tái)積電（上海）有限公司落戶(hù)上海，并于2005年4月正式投產(chǎn)。
·8月，英特爾公司宣布成立英特爾（成都）有限公司，并于2005年12月正式投產(chǎn)。

2004年
·9月，中芯國(guó)際的中國(guó)大陸第一條12英寸線(xiàn)在北京投入生產(chǎn)。
2005年
·中星微電子在美國(guó)納斯達(dá)克上市，成為第一家在美國(guó)上市的中國(guó)IC設(shè)計(jì)公司。
 
2006年
·10月，無(wú)錫海力士意法半導(dǎo)體在無(wú)錫投產(chǎn)。
 
2007年
·3月，英特爾公司宣布在中國(guó)大連建廠(chǎng)。
·6月，成都成芯8英寸項(xiàng)目投產(chǎn)。
·12月，中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司的12英寸生產(chǎn)線(xiàn)（Fab8）建成投產(chǎn)。
 
2008年
·《集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專(zhuān)項(xiàng)規(guī)劃》重點(diǎn)建設(shè)北京、天津、上海、蘇州、寧波等國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)園。
2009年
·6月，工業(yè)和信息化部發(fā)布《關(guān)于進(jìn)一步加強(qiáng)軟件企業(yè)認(rèn)定和軟件產(chǎn)品登記備案工作的通知》工信廳軟［2009］115號(hào)。
 
2011年
·1月，展訊發(fā)布全球首款40納米低功耗商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G。
·2月，國(guó)務(wù)院發(fā)布了被業(yè)界稱(chēng)為“新18號(hào)文”的《進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的若干政策》（國(guó)發(fā)（2011）4號(hào)）。
·9月，上海華虹與宏力簽署合并協(xié)議。
 
2012年
·3月，三星投資70億美元在西安建立芯片生產(chǎn)線(xiàn)，工藝技術(shù)水平為10納米、12英寸硅圓片。
·5月，財(cái)政部、國(guó)稅總局發(fā)布《關(guān)于進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知》［財(cái)稅〔2012〕27號(hào)］。
·6月，中芯國(guó)際將聯(lián)合北京市相關(guān)機(jī)構(gòu)共同籌集資金，在北京建設(shè)40納米～28納米生產(chǎn)線(xiàn)。
 
 
2004—2014年的十年時(shí)間，中國(guó)半導(dǎo)體集成電路芯片產(chǎn)業(yè)幾乎是“零增長(zhǎng)”的“有效研發(fā)投入”，不僅嚴(yán)重制約了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，也嚴(yán)重制約了中國(guó)電子制造、通信行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展。
 
這一切在2014年得到了改變。
 
第二次大投入
 
2014年9月24號(hào)，國(guó)家大基金成立是具有標(biāo)志性意義的，我們統(tǒng)計(jì)了2014—2016年三年以來(lái)，中央和各省市合計(jì)預(yù)期投入的金額規(guī)模超過(guò)4650億人民幣，而2016年中國(guó)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)值也才4300億，第二次大投入的力度遠(yuǎn)超過(guò)當(dāng)年的第一次大投入。
 

國(guó)家大基金成立后，2014—2016年，中國(guó)半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)開(kāi)始大比例“有效研發(fā)投入”，由2014年的系數(shù)1.25，提升到5.63，提升了3.5倍，期間“有效研發(fā)投入產(chǎn)值”增長(zhǎng)了1.26倍。已經(jīng)呈現(xiàn)明顯的“科技紅利”擴(kuò)張趨勢(shì)。這一時(shí)期，中國(guó)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)值從3015億元提升到4335億元，增長(zhǎng)了43.7%?？梢哉f(shuō)，第二次大投入所初步取得的經(jīng)濟(jì)效益是有目共睹的。
 
同時(shí)，從國(guó)務(wù)院印發(fā)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金正式設(shè)立后，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的并購(gòu)熱潮就被點(diǎn)燃。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，各地已宣布的地方基金總規(guī)模已經(jīng)超過(guò)2000億元，成為我國(guó)集成電路生態(tài)系統(tǒng)中的重要支撐力量。
 
在2000年~2015年的16年里，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)增速領(lǐng)跑全球，達(dá)到21.4%，其中全球半導(dǎo)體年均增速是3.6%，美國(guó)將近5%，歐洲和日本都較低，亞太較高13%。就市場(chǎng)份額而言，目前中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)份額從5%提升到50%，成為全球的核心市場(chǎng)。
 
致中國(guó)半導(dǎo)體工作者
 
又是一年國(guó)慶，從1953年至今，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)了六十多年的發(fā)展，在無(wú)數(shù)奮不顧身，勤勤懇懇的中國(guó)半導(dǎo)體工作者的努力下，中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)了零的突破，從開(kāi)始一窮二白，到如今的奮力前行。我們不僅依靠自己的努力突破了國(guó)外的重重封鎖，建立了中國(guó)自己的半導(dǎo)體企業(yè)，也在不斷的發(fā)展中，逐漸獲得了世界的認(rèn)可。如今，雖然中國(guó)市場(chǎng)已經(jīng)成為最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，而中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也迎來(lái)了“黃金時(shí)代”。
 
風(fēng)雨60年，中國(guó)的半導(dǎo)體工作者，辛苦了！

2017-10-09  來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀(guān)察

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