第三代半導(dǎo)體:“虛擬生長(zhǎng)”引發(fā)充電革命
聽(tīng)多了虛擬貨幣、虛擬現(xiàn)實(shí)、虛擬主機(jī)……有沒(méi)有聽(tīng)過(guò)虛擬生長(zhǎng)?
“要長(zhǎng)出高質(zhì)量的碳化硅(SiC),我們需要對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化?!本w材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室教授陳秀芳帶領(lǐng)的課題組有一項(xiàng)重要任務(wù)——通過(guò)物理氣相沉積法生長(zhǎng)出高質(zhì)量、大尺寸的SiC單晶材料。
“但實(shí)際的生長(zhǎng)耗時(shí)、耗料,可能也不穩(wěn)定,通過(guò)計(jì)算機(jī)模擬‘虛擬生長(zhǎng)’過(guò)程,可提前獲知溫度、生長(zhǎng)速率等信息,”陳秀芳說(shuō)。這個(gè)方法就像“戰(zhàn)爭(zhēng)推演系統(tǒng)”和實(shí)打?qū)嵉貙?shí)戰(zhàn)一樣奏效。
近日,國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“中低壓SiC材料器件及其在電動(dòng)汽車(chē)充電設(shè)備中的應(yīng)用示范”項(xiàng)目召開(kāi)年中總結(jié)會(huì),由山東大學(xué)等單位承擔(dān)的課題一,僅用一年時(shí)間就獲得了低雜質(zhì)的6英寸SiC晶體,單晶區(qū)直徑大于15厘米,為了讓這些晶圓能夠批量生產(chǎn),課題組還搭建了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的6英寸SiC單晶爐。
項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、浙江大學(xué)教授盛況介紹,項(xiàng)目以應(yīng)用需求為牽引,將實(shí)現(xiàn)材料—芯片—模塊—充電設(shè)備—示范應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新。也就是說(shuō),高品質(zhì)的SiC材料和芯片將成為充電設(shè)備的核心部件,經(jīng)過(guò)封裝、設(shè)計(jì)等工藝,為電動(dòng)汽車(chē)高效、高能地充滿電力。
“項(xiàng)目組由SiC領(lǐng)域內(nèi)各環(huán)節(jié)多個(gè)實(shí)力較強(qiáng)的單位組成。截至目前,課題二開(kāi)發(fā)了650V和1200V SiC MOSFET芯片,課題三開(kāi)展了前沿的高K柵極介質(zhì)的技術(shù)研究,研制出了1700V SiC MOSFET芯片,課題四完成了全SiC半橋功率模塊的試制,課題五有2臺(tái)充電樣機(jī)在北京試運(yùn)行?!笔r告訴記者,五個(gè)課題組就像一個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈條上的五個(gè)關(guān)節(jié),互為協(xié)作、互為支撐,將共同呈現(xiàn)出SiC從材料獲得直到產(chǎn)業(yè)落地的全鏈條。
“今年下半年,課題一要給課題二、三的承擔(dān)單位‘供貨’,初步完成芯片封裝和模塊設(shè)計(jì)?!痹谑r的任務(wù)文件中,有一張七彩的點(diǎn)線圖,時(shí)間節(jié)點(diǎn)和課題任務(wù)頭連頭、尾接尾,有并行推進(jìn)的,也有順序完成的。項(xiàng)目甚至制定了“項(xiàng)目上下游課題間的送樣計(jì)劃和標(biāo)準(zhǔn)”。
“每次湊在一起都是奔著解決問(wèn)題來(lái)的?!笔r說(shuō),前一年的研究正在穩(wěn)步推進(jìn),現(xiàn)階段我們要做的是在明確的方向下攻克核心技術(shù),進(jìn)一步落實(shí)關(guān)鍵任務(wù)。
如果整個(gè)項(xiàng)目是一艘行駛向“新型充電方式”的大船,課題五就是這個(gè)船上的舵手,“它明確地提出應(yīng)用需求、實(shí)現(xiàn)目標(biāo),而上中游的研發(fā)團(tuán)隊(duì)則圍繞目標(biāo)制定具體的推進(jìn)方案?!笔r說(shuō)。
作為落地的具體實(shí)施者之一,泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司吳海雷告訴科技日?qǐng)?bào)記者,“與現(xiàn)在的充電樁相比,新型SiC充電模塊能達(dá)到最高96%的電能轉(zhuǎn)化效率?!?br />
高溫環(huán)境和空載是傳統(tǒng)充電樁的“痛點(diǎn)”,第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用將解決這個(gè)問(wèn)題。吳海雷說(shuō),研究表明,傳統(tǒng)SiC器件充電模塊的工作環(huán)境溫度達(dá)到55℃時(shí),開(kāi)始降功率輸出或停機(jī),新型SiC充電模塊在65℃時(shí),才開(kāi)始降低功率輸出,“這基本杜絕了夏天宕機(jī)的情況?!?br />
《節(jié)能與新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2012—2020年)》顯示,到2020年,純電動(dòng)汽車(chē)和插電式混合動(dòng)力汽車(chē)?yán)塾?jì)產(chǎn)銷(xiāo)量超過(guò)500萬(wàn)輛,“這意味著需要建480萬(wàn)個(gè)分布式充電樁、1.2萬(wàn)座集中式充換電站?!眳莵喞渍f(shuō)。這是一個(gè)不斷擴(kuò)張和不斷完善相結(jié)合的產(chǎn)業(yè),為能源結(jié)構(gòu)的重大調(diào)整和新能源對(duì)化石能源的革命性顛覆,它的起點(diǎn)是一種名為SiC的完美晶體的生長(zhǎng),緊隨其后的是一條嚴(yán)密布局、創(chuàng)新涌動(dòng)的產(chǎn)業(yè)鏈。
2017-10-13 來(lái)源:中國(guó)科技網(wǎng)張佳星
文章關(guān)鍵詞: 韋爾半導(dǎo)體 香港華清電子(集團(tuán))有限公司 第三代半導(dǎo)體 充電革命
“要長(zhǎng)出高質(zhì)量的碳化硅(SiC),我們需要對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化?!本w材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室教授陳秀芳帶領(lǐng)的課題組有一項(xiàng)重要任務(wù)——通過(guò)物理氣相沉積法生長(zhǎng)出高質(zhì)量、大尺寸的SiC單晶材料。
“但實(shí)際的生長(zhǎng)耗時(shí)、耗料,可能也不穩(wěn)定,通過(guò)計(jì)算機(jī)模擬‘虛擬生長(zhǎng)’過(guò)程,可提前獲知溫度、生長(zhǎng)速率等信息,”陳秀芳說(shuō)。這個(gè)方法就像“戰(zhàn)爭(zhēng)推演系統(tǒng)”和實(shí)打?qū)嵉貙?shí)戰(zhàn)一樣奏效。
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項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、浙江大學(xué)教授盛況介紹,項(xiàng)目以應(yīng)用需求為牽引,將實(shí)現(xiàn)材料—芯片—模塊—充電設(shè)備—示范應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新。也就是說(shuō),高品質(zhì)的SiC材料和芯片將成為充電設(shè)備的核心部件,經(jīng)過(guò)封裝、設(shè)計(jì)等工藝,為電動(dòng)汽車(chē)高效、高能地充滿電力。
“項(xiàng)目組由SiC領(lǐng)域內(nèi)各環(huán)節(jié)多個(gè)實(shí)力較強(qiáng)的單位組成。截至目前,課題二開(kāi)發(fā)了650V和1200V SiC MOSFET芯片,課題三開(kāi)展了前沿的高K柵極介質(zhì)的技術(shù)研究,研制出了1700V SiC MOSFET芯片,課題四完成了全SiC半橋功率模塊的試制,課題五有2臺(tái)充電樣機(jī)在北京試運(yùn)行?!笔r告訴記者,五個(gè)課題組就像一個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈條上的五個(gè)關(guān)節(jié),互為協(xié)作、互為支撐,將共同呈現(xiàn)出SiC從材料獲得直到產(chǎn)業(yè)落地的全鏈條。
“今年下半年,課題一要給課題二、三的承擔(dān)單位‘供貨’,初步完成芯片封裝和模塊設(shè)計(jì)?!痹谑r的任務(wù)文件中,有一張七彩的點(diǎn)線圖,時(shí)間節(jié)點(diǎn)和課題任務(wù)頭連頭、尾接尾,有并行推進(jìn)的,也有順序完成的。項(xiàng)目甚至制定了“項(xiàng)目上下游課題間的送樣計(jì)劃和標(biāo)準(zhǔn)”。
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2017-10-13 來(lái)源:中國(guó)科技網(wǎng)張佳星
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