采用系統(tǒng)級封裝(SiP)的完整全橋電路，可節(jié)省60%的電路板空間、簡化設(shè)計(jì)并精簡組裝。

全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)建MOSFET、閘極驅(qū)動器和保護(hù)技術(shù)

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，ST)的PWD13F60系統(tǒng)封裝(SiP)產(chǎn)品在一個(gè)13mmx11mm的封裝內(nèi)整合了完整的600V/8AMOSFET全橋電路，能夠?yàn)楣I(yè)馬達(dá)驅(qū)控制器、整流器、電源、功率轉(zhuǎn)換器和逆變器廠商節(jié)省物料成本和電路板空間。

相較于采用其他離散元件設(shè)計(jì)的全橋電路，其可節(jié)省60%的電路板空間，PWD13F60還能提升最終應(yīng)用功率的密度。通常市面上銷售的全橋模組為雙FET半橋或六顆FET三相產(chǎn)品，但PWD13F60則整合了四顆功率MOSFET，是一個(gè)高效能的替代方案。有別于其他產(chǎn)品，僅需一個(gè)PWD13F60即可完成單相全橋設(shè)計(jì)，這讓內(nèi)部MOSFET元件不會被閑置。新全橋模組可靈活地配置成一個(gè)全橋或兩個(gè)半橋。

透過意法半導(dǎo)體的高壓BCD6s-Offline制程，PWD13F60整合了功率MOSFET閘極驅(qū)動器和上橋臂驅(qū)動自舉二極體，其設(shè)計(jì)的好處是簡化電路板設(shè)計(jì)、精簡組裝過程，而且節(jié)省外部元件的數(shù)量。閘極驅(qū)動器經(jīng)過優(yōu)化和改進(jìn)，取得高切換的可靠性和低EMI(電磁干擾)。該系統(tǒng)封裝還有交叉導(dǎo)通防護(hù)和欠壓鎖保護(hù)功能，有助于進(jìn)一步降低占位元之面積，同時(shí)確保系統(tǒng)安全。

PWD13F60的其他特性包括最低6.5V的寬工作電壓、配置靈活性，以及讓設(shè)計(jì)簡易性得到最大限度的提升。此外，新系統(tǒng)封裝輸入針腳還能接受3.3V-15V邏輯訊號，連接微控制器(MCU)、數(shù)位訊號處理器(DSP)或霍爾傳感器將變得十分容易。

2017-12-15  來源：慧聰網(wǎng) 

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