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集成電路簡史（2017年版），從歷史中看我國到底落后幾年？
1947年，貝爾實驗室肖克萊等人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個里程碑。
1949年12月23日晚，在美國貝爾實驗室的一個由肖克萊、巴丁和布拉頓三人組成的研究小組正在用兩根與半導(dǎo)體鍺晶片緊密接觸的金屬探針來研究鍺晶片中電流傳導(dǎo)時，他們發(fā)現(xiàn)了晶體管效應(yīng)。并在此基礎(chǔ)上制出了世界上第一枚鍺點接觸晶體管。從此開創(chuàng)了人類大規(guī)模利用半導(dǎo)體的新時代。
1953年出現(xiàn)了鍺合金晶體管。
1955年又出現(xiàn)了擴散基區(qū)鍺合金晶體管。
1956年國務(wù)院組織制訂了我國十二年科技發(fā)展規(guī)劃，并提出了“向科學(xué)進軍”的口號。其中，發(fā)展半導(dǎo)體被作為發(fā)展最新技術(shù)的一項特別提案列入了發(fā)展規(guī)劃。
1956年晶體管的發(fā)明獲得了諾貝爾物理獎。在授獎儀式上，肖克萊預(yù)言：“晶體管的發(fā)明不僅僅是一項技術(shù)發(fā)明，更是一項偉大的科學(xué)發(fā)現(xiàn)”
1957年北京大學(xué)、南開大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)和廈門大學(xué)等五所高校聯(lián)合在北京大學(xué)舉辦我國首屆半導(dǎo)體專業(yè)培訓(xùn)班。
1957年美國仙童公司利用硅晶片上熱生長二氧化硅（SiO2）工藝制造出世界上第一只硅平面晶體管。從此，硅成為人類利用半導(dǎo)體材料的主要角色。
1958年美國德州儀器公司青年工程師基爾比將幾個鍺晶體管芯片粘在一個鍺片上，并用細金絲將這些晶體管連接起來，形成了世界上第一塊集成電路。
1958年我國第一枚鍺晶體管試制成功。
1960年初美國仙童公司的諾依思用平面工藝制造出了第一塊實用化的集成電路芯片。這個芯片包含了4個晶體管和6個電阻器，組成了一個環(huán)形振蕩器。集成電路的發(fā)明為人類開創(chuàng)了微電子時代的新紀元。
1961年，德州儀器為美國空軍研發(fā)出第一個基于集成電路的計算機，即所謂的“分子電子計算機”。美國宇航局也開始對該技術(shù)表示了極大興趣。當時，“阿波羅導(dǎo)航計算機”和“星際監(jiān)視探測器”都采用了集成電路技術(shù)。
1961年我國第一個集成電路研制課題組成立。
1962年我國第一代硅平面晶體管問世。
1962年，德州儀器為“民兵-I”型和“民兵-II”型導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)研制22套集成電路。這不僅是集成電路第一次在導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)中使用，而且是電晶體技術(shù)在軍事領(lǐng)域的首次運用。
1963年，F(xiàn).M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shù)。
1965年，摩爾定律誕生，戈登·摩爾（GordonMoore）在ElectronicsMagazine雜志一篇文章中預(yù)測，未來一個芯片上的晶體管數(shù)量大約每年翻一倍（10年后修正為每兩年）。
1965年我國第一代單片集成電路在北京、石家莊和上海等地相繼問世。
1966年，美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門）。
1968年7月，諾依斯和摩爾從仙童公司辭職，創(chuàng)立了Intel公司，英文名Intel為“集成電子設(shè)備（integratedelectronics）”的縮寫。
1969年，英特爾公司為日本計算機公司最新研發(fā)的“Busicom141-PF”計算機設(shè)計12塊芯片。但英特爾公司的工程師泰德-霍夫等人卻根據(jù)日本公司的需求提出了另一套設(shè)計方案。于是誕生了歷史上第一個微處理器--4004。
1970年，漢米爾頓公司推出的“普爾薩”是世界上第一只數(shù)字手表。
1971年，Intel推出1kb動態(tài)隨機存儲器（DRAM），包含2000多只晶體管，采用Intel10μmPMOS技術(shù)生產(chǎn)，標志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)。
1972年，我國自主研制的大規(guī)模集成電路在四川永川半導(dǎo)體研究所誕生，實現(xiàn)了從中小集成電路發(fā)展到大規(guī)模集成電路的跨越。
1974年，RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802
1975年，上海無線電十四廠成功開發(fā)出當時屬國內(nèi)最高水平的1024位移位存儲器，集成度達8820個元器件，達到國外同期水平。
1976年16kbDRAM和4kbSRAM問世。
1978年，64kbDRAM誕生，在不足0.5cm2的硅片上集成了14萬只晶體管，標志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時代的來臨。
1979年Intel推出5MHz8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺PC。
1981年256kbDRAM和64kbCMOSSRAM問世。
1984年無錫華晶從日本東芝公司全面引進了3英寸/5微米的彩電芯片生產(chǎn)線。
1987年臺積電建立，成為全球第一家純粹的晶圓代工廠，促進了無晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮，也宣告著半導(dǎo)體制造業(yè)開始從西方向東方遷移。該年大智、硅統(tǒng)、揚智、瑞昱、詮華、華展、群立、普騰等IC設(shè)計公司成立。
1988年，16MDRAM問世，1cm2大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著集成電路進入特大規(guī)模集成（ULSI）時代。
1988年9月上海貝嶺成為國內(nèi)微電子行業(yè)第一家中外合資企業(yè)，并建成了國內(nèi)第一條4英寸/3微米的數(shù)字程控交換機芯片生產(chǎn)線。
1989年486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用0.8μm工藝。
1990年三星推出16MbDRAM。
1991年華邦成功開發(fā)首顆64KSRAM。
1992年64M位隨機存儲器問世。英特爾開始采用8英寸晶圓。三星成為全球最大的DRAM廠商。臺灣地區(qū)各半導(dǎo)體廠陸續(xù)進入0.6微米制程。
1993年66MHz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝。三星建立第一個8英寸晶圓廠，同年成為全球最大的存儲器廠商。IBM和摩托羅拉推出首個用于PC的RISC芯片。
1994年三星推出全球第一塊256Mb的DRAM。聯(lián)電、華邦開發(fā)完成0．5微米制程。
1995年NEC開發(fā)出全球第一塊1GbDRAM。
1995年英特爾分別發(fā)布Pentium120MHz/Pentium133MHz/Pentium150MHz/Pentium166MHz/Pentium180MHz/Pentium200MHz處理器，工藝技術(shù)上升到0.35微米。
1996年三星推出1GbDRAM。同時，三星在美奧斯汀建廠。
1997年，Intel公司300MHz奔騰Ⅱ微處理器問世，采用0.25μm工藝。集成電路進入深亞微米時代。
1997年成立上海華虹NEC電子有限公司并于1998年建成我國第一條8英寸生產(chǎn)線。
1998年三星宣布推出首塊128M閃存。
1999年2月：Intel發(fā)布了奔騰III處理器，含有950萬只晶體管，采用Intel0.25μm技術(shù)生產(chǎn)。
1999年三星發(fā)布第一塊1G閃存原型。
1999年中芯國際落戶上海，2000年中芯國際的兩條8英寸生產(chǎn)線同時建成投產(chǎn)。
2000年臺積電成立第一座12寸晶圓廠。
2000年Intel發(fā)布了0.13微米工藝制造的Tualatin核心PentiumIII-S處理器。
2001年三星512MbNAND閃存進人量產(chǎn)，推出數(shù)字音頻SoC。
2002年Intel采用12英寸晶圓并引人90nm工藝。英特爾發(fā)布Pentium43.06GHz處理器，采用了0.13微米工藝技術(shù)。該年中芯國際開始批量生產(chǎn)0.18微米、8英寸芯片產(chǎn)品。
2003年三星推出第一款4GbNAND閃存。
2003年9月24日，AMDAthlon64處理器正式推出，Athlon64的發(fā)布才真正的宣告了個人64位計算時代的到來。
2004年德州儀器宣布單芯片手機，并發(fā)布65nm工藝。
2004年6月Intel推出了采用Prescott核心的Pentium4處理器，采用了并不成熟的0.09微米工藝，導(dǎo)致晶體管在高頻率下電流泄漏嚴重，反而是功耗和發(fā)熱量提高了不少。
2005年中星微電子在美國納斯達克上市，成為第一家在美國上市的中國IC設(shè)計公司，隨著珠海炬力也成功上市。
2006年8月，三星公司采用40nm工藝制造出32GbNAND型閃存，集成了328億個存儲器元胞。
2006年三星、IBM和特許半導(dǎo)體共同為高通生產(chǎn)出第一片90nm處理器。三星推出基于32Mb閃存的固態(tài)硬盤SSD，使閃存在PC中逐漸替代硬盤成為趨勢。
2006年，Intel終于放棄了Netburst架構(gòu)，推出了Core2微架構(gòu)再一次震動了業(yè)界。首款Core2Duo處理器擁有1.67億個晶體管，基于的是65nm工藝，擁有4ML2緩存，前端總線頻率為1，066MHz。
2007年三星發(fā)布50nm16GbNAND閃存，可用于SSD。同時其60nmDRAM進入規(guī)模量產(chǎn)。
2007年上半年，IBM宣布了采用45nmSOI工藝的高性能ASIC，采用10層金屬布線，典型門延遲為3.8ps～9.9ps，電路密度1480千門·mm-2，功耗為3.2/2.6nW/MHz/門，電源電壓VDD僅為1.0V/0.9V。
2010年3月16日，英特爾公司正式推出了酷睿i7處理器至尊版IntelCorei7980x處理器。采用領(lǐng)先業(yè)界的32nm制作工藝
2011年3月，Intel發(fā)布了使用32nm工藝全新桌面級和移動端處理器，其采用了i3、i5和i7的產(chǎn)品分級架構(gòu)。
2011年臺積電宣布28nm制程工藝正式邁入量產(chǎn)階段，成為芯片代工行業(yè)首個量產(chǎn)28nm產(chǎn)品的廠商。
2012年：英特爾發(fā)布22納米工藝和第三代處理器。
2014年底，三星宣布了世界首個14nmFinFET3D晶體管進入量產(chǎn)，標志著半導(dǎo)體晶體管進入3D時代。
2014年中國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）設(shè)立。
2015的到來，Intel14nm處理器終于迎來了第一輪的爆發(fā)，第五代Core系列處理器正式登場。
2015年臺積電宣布已經(jīng)正式開始量產(chǎn)16nmFinFET工藝產(chǎn)品。
2015年中芯國際宣布28納米產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。
2016年三星宣布10nm工藝在移動處理器上的全球率先量產(chǎn)。
2017年臺積電解決10nm工藝生產(chǎn)良率的問題，量產(chǎn)蘋果A11芯片。
2017年9月Intel在“Intel精尖制造日”上首次向全球展示了其10nm晶圓，并表示：“老虎不發(fā)威，當我是病貓嗎？”
集成電路產(chǎn)業(yè)可謂是戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是發(fā)展數(shù)字經(jīng)濟的重要支撐，在信息技術(shù)領(lǐng)域的核心地位十分突出。當前，世界各國特別是發(fā)達國家爭相搶占集成電路產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略制高點。
習(xí)近平總書記多次強調(diào)指出：“核心技術(shù)受制于人是我們最大的隱患。一個互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)即便規(guī)模再大、市值再高，如果核心元器件嚴重依賴外國，供應(yīng)鏈的‘命門’掌握在別人手里，那就好比在別人的墻基上砌房子，再大再漂亮也可能經(jīng)不起風(fēng)雨，甚至?xí)豢耙粨??！?
最后引用丁文武的一句話作為結(jié)尾：“2014年成立集成電路大基金以來，我國斥巨資打造芯片強國，這條路越走越順，理想也越來越接近。我們有理由堅信，中國在自主芯片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的雄心壯志終將實現(xiàn)?！?
2017-12-25 來源：中國科技網(wǎng)
