韓國開發(fā)出下一代納米半導(dǎo)體圖像傳感器
韓國科學(xué)技術(shù)研究院發(fā)布消息稱,該院聯(lián)合延世大學(xué)利用二維二硒化鎢納米單芯片和一維氧化鋅氧化物半導(dǎo)體納米線的混合維空間雙層結(jié)構(gòu),開發(fā)了可以感知從紫外線到近紅外線光的光電二極管器件。該研究結(jié)果發(fā)表在國際學(xué)術(shù)雜志《先進功能材料》(Advanced Functional Materials)上。
低維空間納米半導(dǎo)體元件在下一代半導(dǎo)體中有廣泛應(yīng)用前景,是研發(fā)重點領(lǐng)域。研究組使用的二維元件具有光回應(yīng)性能強、洞遷移率高的特性,是P型半導(dǎo)體元件。一維氧化鋅納米線是目前最好的一維納米半導(dǎo)體之一,具有電子遷移率高的特性,有望應(yīng)用于高性能電子元件N型半導(dǎo)體元件。將一維二維混合后形成了混合維空間雙層結(jié)構(gòu)(PN型),研制出光電二極管元件。
研究組表示,該研究成功實現(xiàn)了二維圖像,今后有望廣泛應(yīng)用于新一代圖像傳感器元件。
2017-01-09 來源:中華人民共和國科學(xué)技術(shù)部