半導(dǎo)體格局大變遷:存儲器銷售額占比有望成全球第一
本文來自“科技紅利及方向型資產(chǎn)研究”。
2017-2020年,全球半導(dǎo)體第四次硅含量提升周期,人工智能AI、物聯(lián)網(wǎng)、5G、智能駕駛等新應(yīng)用爆發(fā),將驅(qū)使全球存儲器需求大爆發(fā),第四次硅含量提升周期內(nèi),存儲器芯片是推動半導(dǎo)體集成電路芯片行業(yè)上行的主要抓手。全球半導(dǎo)體集成電路芯片大格局變遷,存儲器芯片全球銷售額占比有望超越邏輯芯片,成為全球第一。
2017年存儲器芯片,預(yù)計超過1000億以上,增長幅度將超過30%以上。2017年存儲器芯片會取代傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域份額占比最高的邏輯芯片,成為全球銷售額占比最高的半導(dǎo)體集成電路芯片。
2017-2020年,全球半導(dǎo)體第四次硅含量提升周期,存儲器芯片成為驅(qū)動半導(dǎo)體集成電路芯片行業(yè)上行的主抓手,通過全球半導(dǎo)體資本開支的變化中可見一斑。
全球半導(dǎo)體集成電路資本開支(CAPEX)上修,去年從原先700多億美金上修到超過800億美金,同比增長20%,其中存儲器芯片的資本開支將超過320億美金,同比增長40.5%以上。其中FLASH存儲器資本開支超過190億美金,同比增速超過33%,DRAM/SRAM資本開支超過130億美金,同比增速超過53%。
2017年存儲器領(lǐng)域的資本開支(CAPEX)占比比例將近40%,超過晶圓代工,躍升為半導(dǎo)體集成電路資本開支第一大細(xì)分領(lǐng)域。其中NORFLASH/NAND
FLASH存儲器芯片占比比例24%,DRAM/SRAM存儲器占比比例16%。
2017-2020年,全球半導(dǎo)體第四次硅含量提升周期,通過全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售趨勢分析,管中窺豹,中國大陸將是未來全球半導(dǎo)體集成電路芯片產(chǎn)業(yè)上行的主推力。
2017年全球半導(dǎo)體設(shè)備年銷售額預(yù)計將接近500億美金,創(chuàng)歷史新高,2018年預(yù)計將直接突破530億美金,預(yù)計2020年將達(dá)到600億美金,持續(xù)創(chuàng)歷史新高。此消彼長,中國大陸快速崛起,半導(dǎo)體設(shè)備銷售產(chǎn)值領(lǐng)域,2018年中國大陸將超過中國臺灣將成為全球第二,2019年中國大陸將超過韓國成為全球第一。
2008-2014年,中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售產(chǎn)值大約在20-40億美金之間,占比全球份額比例不足5%,中國大陸半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域的“第二次大投入”將驅(qū)動中國半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域份額從5%提升到25%以上。驅(qū)使中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售產(chǎn)值從40億美金快速提升到2018年的100億美金以上,我們預(yù)計2020年左右,中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售產(chǎn)值預(yù)計占比全球份額比例超過25%以上。
2017-2020年,全球半導(dǎo)體第四次硅含量提升周期,中國大陸將成為第四次硅含量提升的主推力,存儲器將是第四次硅含量提升的主抓手。全球半導(dǎo)體第四次硅含量提升周期,全球半導(dǎo)體集成電路芯片將會出現(xiàn)大格局變遷,存儲器芯片將會取代傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域份額占比最高的邏輯芯片,成為全球銷售額占比最高的半導(dǎo)體集成電路芯片。
2017-2020年全球半導(dǎo)體板塊最大、最確定的投資機會就是存儲器,存儲器領(lǐng)域最具有彈性的就是NOR FLASH存儲器。
2017-01-10 來源:同花順財經(jīng)