自從德州儀器工程師Jack S. Kilby在1958年發(fā)表了全球首款集成電路以來(lái)，科技產(chǎn)業(yè)就開(kāi)進(jìn)了發(fā)展的的快車(chē)道，大型機(jī)、PC、筆記本和手機(jī)等設(shè)備先后面世，各種電子終端也紛紛亮相，人類(lèi)生活也在這些設(shè)備的影響下發(fā)生了翻天覆地的變化。但無(wú)論是終端的開(kāi)發(fā)者還是上游的芯片供應(yīng)商，對(duì)未來(lái)的期待并不止于此。

在過(guò)去的幾十年內(nèi)，他們相互相成、相互促進(jìn)，推動(dòng)整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)自上如下的進(jìn)步，尤其是上游的芯片產(chǎn)業(yè)，在摩爾定律的指導(dǎo)下，他們的時(shí)鐘頻率有了指數(shù)級(jí)的增長(zhǎng)。以Intel為例，他們1971年推出的第一款處理器4004的主頻只有108KHZ，但他們最近推出的第八代處理器主頻已經(jīng)提高到4.2GHz，這樣的提升給終端帶來(lái)太多的想象空間，但也給相關(guān)廠(chǎng)商帶來(lái)更大的挑戰(zhàn)。

隨著處理器頻率的提高，過(guò)往的硅原料和制造工藝已經(jīng)不能滿(mǎn)足設(shè)計(jì)需求了，相關(guān)廠(chǎng)商只能探索新的材料和制造方式。例如FinFET和高K特性的柵極絕緣層的引入，就是為了解決這樣的問(wèn)題的。對(duì)測(cè)試廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，任務(wù)也變得更加艱巨了：

例如，現(xiàn)在MOSFET的柵極越來(lái)越薄，使用的材料也發(fā)生變化，那就引入了許多新的效應(yīng)，比如熱電子注入和表面阱等等，因此如何測(cè)試MOSFET中的這些瞬時(shí)效應(yīng)就成為測(cè)試廠(chǎng)商和芯片廠(chǎng)商關(guān)注的問(wèn)題。

現(xiàn)在標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET測(cè)試方案都是使用直流電或者慢速波形，而常見(jiàn)的MOSFET高速電路都跑在1GHz以上，因此傳統(tǒng)測(cè)試方案無(wú)法測(cè)試到高速電路中的許多重要瞬態(tài)效應(yīng)。為了解決這問(wèn)題，使用上升時(shí)間小于1ns的快速波形的高速測(cè)試（characterization）方案就很有必要了，因?yàn)檫@樣就能提取到這些重要參數(shù)，進(jìn)行下一步的分析。

2018-02-05  來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀(guān)察 

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