20世紀(jì)80、90年代，日本工業(yè)實(shí)力達(dá)到巔峰，半導(dǎo)體、液晶顯示器、高端機(jī)械設(shè)備、先進(jìn)材料工業(yè)等等，獨(dú)步全球。

可惜的是，到1990年初，日經(jīng)指數(shù)由38915點(diǎn)的歷史最高點(diǎn)向下崩跌，短短2年半間跌至15910點(diǎn)。股市的下跌，戳破日本的泡沫經(jīng)濟(jì)，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先全球的優(yōu)勢也逐步腐蝕。

短短10年走向衰敗

1990年全球10大半導(dǎo)體公司中有6家為日本公司，NEC、東芝及日立高居前3大半導(dǎo)體公司，英特爾僅居全球第4，而韓國三星電子尚未能進(jìn)入前10大排行榜。

1995年，日本公司只有4家進(jìn)入前10大半導(dǎo)體公司排行榜，英特爾躍升為全球半導(dǎo)體公司龍頭，NEC、東芝及日立退居2、3、4名，三星電子及現(xiàn)代電子也擠進(jìn)前10大。

2000年，僅有NEC、東芝及日立進(jìn)入10大，三星電子以些微差距，落在東芝及NEC之後，居全球第4大半導(dǎo)體公司，英特爾仍居全球第1，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在此時(shí)已走下坡。

以往日本傲視全球的記憶體產(chǎn)業(yè)，也在韓國公司凌厲攻勢下，逐步失去競爭力。為提升競爭力，2000年NEC、日立的DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機(jī)存取記憶體）部門合并，成立爾必達(dá)，2003年?duì)柋剡_(dá)合并三菱電機(jī)的記憶體部門。

DRAM產(chǎn)業(yè)慘遭淘汰

可惜的是，雖然集3家日本公司存儲器部門的爾必達(dá)，仍無法在競爭激烈產(chǎn)業(yè)中勝出，2012年宣告破產(chǎn)，2013年被美光購并，日本在DRAM產(chǎn)業(yè)中慘遭淘汰。

日本不僅在DRAM產(chǎn)業(yè)中遭遇困難，在邏輯半導(dǎo)體中也同樣面臨激烈地競爭，2003年日立及三菱半導(dǎo)體事業(yè)部門合并成立瑞薩科技（Renesas），當(dāng)年瑞薩營業(yè)額高居全球半導(dǎo)體公司第3名。

可惜的是，合并帶來的不是成長而是每下愈況，2010年瑞薩與NEC電子合并成立瑞薩電子，仍無法有杰出表現(xiàn)，2015年?duì)I業(yè)額名列全球15名。

2015年名列全球前10大半導(dǎo)體公司的日本公司，只有東芝1家。東芝的主要產(chǎn)品為NAND Flash，目前在NAND市占率為全球第2，僅次于三星電子。

日商僅剩索尼CIS強(qiáng) 

除東芝的NAND Flash外，索尼（Sony）的CMOS Image Sensor（CIS影像感測器），是日本能在全球市場具競爭力的半導(dǎo)體產(chǎn)品。索尼的CIS以約30%的市占率，高居全球第1，在高端市場中，幾乎全部是索尼的天下。

從獨(dú)步全球到光輝不再，日本在失落的1/4世紀(jì)中，雖力圖振作，但仍無法跟上快速變化。

 

 

半導(dǎo)體為韓國代表性的出口項(xiàng)目，出口金額占韓國整體出口金額的10%以上，占通訊（ICT）出口金額比重在3成以上，2015年半導(dǎo)體出口金額達(dá)629億美元。

 

一．發(fā)展路徑

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從引進(jìn)技術(shù)、進(jìn)行生產(chǎn)加工及服務(wù)開始，并逐漸走上自主創(chuàng)新并掌握自主知識產(chǎn)權(quán)的道路。

 

上世紀(jì)80年代，韓國半導(dǎo)體只是站在世界的邊緣，扮演著名不見經(jīng)傳的角色。而這時(shí)，對岸相望的日本卻是輝煌無比，占據(jù)這半壁江山。在看到日本通過大力發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)，并帶動電器、電子、通信和整個(gè)信息業(yè)的成功后，韓國也效仿了起來。

 

政府推動、“財(cái)閥”大量資金投入從此給韓國半導(dǎo)體發(fā)展插上了兩個(gè)翅膀。

 

上世紀(jì)90年代起，現(xiàn)代集團(tuán)的現(xiàn)代電子、三星集團(tuán)的三星電子、金星集團(tuán)的LG電子等韓國廠商，著手興建各自的半導(dǎo)體存儲器生產(chǎn)廠。政府宏觀調(diào)控引導(dǎo)資金流向,將95%的資金提供給大企業(yè),使其優(yōu)先發(fā)展并與國外跨國公司抗衡。

 

 

上世紀(jì)90年代中期，三星電子與東芝、通用儀器、ISD、三菱、日本電器、富士通等結(jié)成戰(zhàn)略聯(lián)盟關(guān)系。于此同時(shí)，韓國利用存儲方面的技術(shù)優(yōu)勢與國外企業(yè)交換非存儲器技術(shù)；通過并購有所需技術(shù)的國外企業(yè)，壯大自身技術(shù)領(lǐng)域。

 

21世紀(jì)韓國半導(dǎo)體在世界站穩(wěn)腳跟

2003年，三星超越索尼和松下，成為亞洲最大的信息產(chǎn)業(yè)公司。從2003到2013年，更是韓國半導(dǎo)體迅猛發(fā)展的10年。2003年生產(chǎn)額為139億美元，世界市占率為7.4%，位居世界第四位；2013年的生產(chǎn)額為515億美元，世界市占率為16.2%，超過日本躍居成為世界第二位。

 

內(nèi)存半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支柱，自從2002年高居世界首位(占有率達(dá)到32.9%)以來，借助獨(dú)特的市場及技術(shù)優(yōu)勢，其影響力也不斷擴(kuò)大。2013年世界市場占有率達(dá)到了52.4%，以壓倒性優(yōu)勢在世界內(nèi)存市場稱霸。而2013年至今，韓國在存儲領(lǐng)域也是世界領(lǐng)跑。

 

發(fā)展源動力

1.  政府推動

1975年，成立韓國高級科學(xué)技術(shù)研究院

     

1976年，成立韓國電子技術(shù)研究所，重要工作是進(jìn)行超大規(guī)模集成電路的研究，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國家級科研項(xiàng)目的開發(fā)

   

1986年~1993年，政府實(shí)施“超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計(jì)劃”

   

1997年，政府通過“新一代半導(dǎo)體基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目”

 

下圖為韓國政府促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計(jì)劃和立法。

 

 

2.  產(chǎn)學(xué)研合作

在“超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計(jì)劃”的推動下，以國家電子研究所為主，三星、現(xiàn)代、LG等大企業(yè)參加組成半導(dǎo)體研究開發(fā)組織。集中人才、資金，進(jìn)行從1M到64M的DRAM核心基礎(chǔ)技術(shù)（又稱：源泉技術(shù)）的開發(fā)。

 

3.  企業(yè)從引進(jìn)到自主研發(fā)

為縮短與先進(jìn)國的技術(shù)差距，企業(yè)積極導(dǎo)入國外技術(shù)，比如三星從Micro Technology與Aytrex、現(xiàn)代從德州儀器與Vitelic、LG從Micro Technology與AT&T進(jìn)行技術(shù)的引進(jìn)。

 

受益于源泉技術(shù)，16M以后的DRAM轉(zhuǎn)為以企業(yè)開發(fā)為主。1992年11月，成功開發(fā)出64M DRAM；1997年末，成功開發(fā)出256M DRAM的基礎(chǔ)技術(shù)和1G DRAM的先進(jìn)基礎(chǔ)技術(shù)；2014年4月，開發(fā)出業(yè)內(nèi)最早4G DRAM。

 

韓國半導(dǎo)體的快速發(fā)展堅(jiān)持的是循序漸進(jìn)的方式，引進(jìn)、合作、自主融合。內(nèi)部技術(shù)與外部技術(shù)的整合，是三星能迅速崛起的一個(gè)捷徑選擇。

2018-03-07  來源：EEFOCUS 與非網(wǎng) 

文章關(guān)鍵詞： 韋爾半導(dǎo)體股份  香港華清電子(集團(tuán))有限公司  索尼CIS