寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢(shì)，成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國(guó)防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。

推動(dòng)中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，成為發(fā)展建設(shè)綠色節(jié)能社會(huì)與智能制造的關(guān)鍵一環(huán)。

近日，由張家港市政府與中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主辦的《中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體發(fā)展路線圖》（以下簡(jiǎn)稱《路線圖》）終審會(huì)召開。

這項(xiàng)工作的開展將為我國(guó)政府部門、產(chǎn)業(yè)從業(yè)者、各方資本提供一份完整的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖，作為決策的重要依據(jù)。對(duì)于推進(jìn)我國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著重大的意義和深遠(yuǎn)影響。

應(yīng)用需求驅(qū)動(dòng)，展現(xiàn)良好發(fā)展前景

以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有良好的物理性質(zhì)，隨著硅（Si）與化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展，難以應(yīng)對(duì)能源與環(huán)境面臨的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，業(yè)界迫切需要新一代半導(dǎo)體材料技術(shù)的發(fā)展與支撐。

碳化硅與氮化鎵優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。

GaN功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)應(yīng)用領(lǐng)域偏向中低電壓范圍，集中在1000V以下，而1000V以上的中高電壓范圍內(nèi)SiC更具優(yōu)勢(shì)，兩者的應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋了新能源汽車、光伏、機(jī)車牽引、智能電網(wǎng)、節(jié)能家電、通信射頻等大多數(shù)具有廣闊發(fā)展前景的新興應(yīng)用市場(chǎng)。

支撐未來(lái)互聯(lián)網(wǎng)的可持續(xù)發(fā)展，推動(dòng)綠色節(jié)能技術(shù)勢(shì)在必行，寬禁帶功率半導(dǎo)體在這方面有著優(yōu)良的特性和巨大的潛力。據(jù)IDC估計(jì)，全球300萬(wàn)臺(tái)數(shù)據(jù)中心每小時(shí)耗電量為3000萬(wàn)千瓦，幾乎等于30座核電站的發(fā)電量。由于電-電轉(zhuǎn)換效率不高，產(chǎn)生龐大熱量，必需冷卻系統(tǒng)維持散熱，還要增加數(shù)據(jù)中心的能耗。

                                        ——中國(guó)科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓指出

在新能源汽車方面，去年我國(guó)新能源汽車銷量約為80萬(wàn)輛，今年預(yù)計(jì)會(huì)超過(guò)100萬(wàn)輛。新能源汽車存在的核心困難是充電速率過(guò)慢，主流的研究熱點(diǎn)集中在快速充電技術(shù)上，而快充技術(shù)的實(shí)現(xiàn)就需要用到高壓SiC半導(dǎo)體器件。

未來(lái)，在包括車用、輔助設(shè)施、充電樁等整個(gè)新能源汽車產(chǎn)業(yè)，均會(huì)成為支撐SiC在中高電壓領(lǐng)域高端應(yīng)用的重要組成部分。

在射頻通信方面，GaN技術(shù)正助力5G通信的發(fā)展。5G移動(dòng)通信從人與人通信拓展到萬(wàn)物互聯(lián)，預(yù)計(jì)2025年全球?qū)a(chǎn)生1000億個(gè)設(shè)備的連接。

5G技術(shù)不僅需要超帶寬，更需要高速接入，低接入時(shí)延，低功耗和高可靠性，以支持海量設(shè)備的互聯(lián)。GaN功率器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗。

數(shù)據(jù)顯示，從2018-2022年，全球SiC電力設(shè)備市場(chǎng)將以35.73%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。2016年全球GaN器件市場(chǎng)規(guī)模165億美元，到2023年將達(dá)到224.7億美元。

產(chǎn)業(yè)生態(tài)發(fā)展不足，中國(guó)產(chǎn)業(yè)機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn)并存

雖然我國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展的時(shí)機(jī)已經(jīng)逐步成熟，處于重要窗口期。然而本次終審會(huì)上的與會(huì)專家認(rèn)為，目前行業(yè)面臨的困難仍然很多，一個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與兩個(gè)方面有關(guān)：一個(gè)是技術(shù)層面，另一個(gè)重要問(wèn)題就是產(chǎn)業(yè)的生態(tài)環(huán)境。

在技術(shù)上，寬禁帶功率半導(dǎo)體面臨的技術(shù)難題很多，如襯底材料的完整性、外延層及歐姆接觸的質(zhì)量、工藝穩(wěn)定性、器件可靠性以及成本控制等，寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的難度比外界想象的要大很多。

另一個(gè)重要問(wèn)題就是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的生態(tài)環(huán)境的建設(shè)并不完善。5G移動(dòng)通信、電動(dòng)汽車等是寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最具有爆發(fā)性增長(zhǎng)潛力的應(yīng)用領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)在產(chǎn)業(yè)生態(tài)的成熟度上與國(guó)外的差距還比較明顯，落后程度更甚于技術(shù)層面的落后程度。產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同不足，尚未解決材料“能用-可用-好用”發(fā)展過(guò)程中的問(wèn)題和障礙。

此外，中國(guó)半導(dǎo)體照明/LED產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用聯(lián)盟秘書長(zhǎng)關(guān)白玉指出：“寬禁帶功率半導(dǎo)體需要產(chǎn)業(yè)鏈、創(chuàng)新鏈的協(xié)同發(fā)展?！?

但是目前國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新鏈并沒(méi)有打通，整體創(chuàng)新環(huán)境較差。

寬禁帶功率半導(dǎo)體涉及多學(xué)科、跨領(lǐng)域的技術(shù)和應(yīng)用，需要聯(lián)合多個(gè)領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)資源，開展多學(xué)科、跨領(lǐng)域的集成創(chuàng)新，但研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化需要昂貴的生長(zhǎng)和工藝設(shè)備、高等級(jí)的潔凈環(huán)境和先進(jìn)的測(cè)試分析平臺(tái)。

目前國(guó)內(nèi)從事寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)的研究機(jī)構(gòu)、企業(yè)單體規(guī)模小，資金投入有限，研發(fā)創(chuàng)新速度慢，成果轉(zhuǎn)化困難。

加強(qiáng)頂層設(shè)計(jì)，助力產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展

正是由于寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有學(xué)科交叉性強(qiáng)、應(yīng)用領(lǐng)域廣、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性大等特點(diǎn)，因此要想推進(jìn)其快速協(xié)同發(fā)展，必須做好頂層設(shè)計(jì)，進(jìn)行統(tǒng)籌安排。

國(guó)務(wù)院印發(fā)《“十三五”國(guó)家科技創(chuàng)新規(guī)劃》（以下簡(jiǎn)稱《規(guī)劃》），提出發(fā)展新一代信息技術(shù)，發(fā)展微電子和光電子技術(shù)，重點(diǎn)加強(qiáng)極低功耗芯片、新型傳感器、寬禁帶半導(dǎo)體芯片和硅基光電子、混合光電子、微波光電子等技術(shù)與器件的研發(fā)?！堵肪€圖》的起草將有利于《規(guī)劃》的落實(shí)。

通過(guò)《路線圖》指明發(fā)展方向與主要的脈絡(luò)，在做好頂層設(shè)計(jì)的同時(shí)，有利于對(duì)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行統(tǒng)籌安排，有利于產(chǎn)業(yè)的協(xié)調(diào)發(fā)展，同時(shí)吸引各方的關(guān)注，有利于新的資金與資源的導(dǎo)入。

專家指出

發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體：

一方面要依靠自主研發(fā)，實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破；

另一方面要充分發(fā)揮產(chǎn)學(xué)研用相結(jié)合的作用，開展以需求為導(dǎo)向，以市場(chǎng)為目標(biāo)的研究與開發(fā)，做到克服瓶頸、解決難題、進(jìn)入市場(chǎng)、用于實(shí)際。

此外，加強(qiáng)寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)及應(yīng)用，急需引進(jìn)和培養(yǎng)人才雙管齊下，遴選領(lǐng)軍人才、充實(shí)技術(shù)骨干、加快隊(duì)伍建設(shè)。

2018-08-03  來(lái)源：鳳凰網(wǎng)科技 

文章關(guān)鍵詞： 韋爾半導(dǎo)體股份  香港華清電子(集團(tuán))有限公司  寬禁帶功率半導(dǎo)體 

免責(zé)聲明：本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，與摘抄信息網(wǎng)無(wú)關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對(duì)本文以及其中全部或者 部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾，請(qǐng)讀者僅作參考，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。

版權(quán)聲明：本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載，已標(biāo)明出處。如需轉(zhuǎn)載，請(qǐng)點(diǎn)擊原文出處，聯(lián)系作者進(jìn)行轉(zhuǎn)載。