寧波比亞迪半導體公司的生產(chǎn)車間內(nèi)，所有的工作人員都被白色防塵服嚴實包裹，只能露出一雙眼睛，彼此交流不多，各自穿梭忙碌在精密儀器之間，像極了科幻電影中的一幕。

這家半導體公司隸屬于比亞迪的第六事業(yè)部，用以生產(chǎn)新能源汽車的電控芯片IGBT，IGBT的晶圓、模組等組成部分都對工作環(huán)境提出了極高要求。

“我們工廠無塵要求十分嚴苛，每英尺（0.0283立方米）中直徑超過0.5微米的微塵離子不能超過1個，連洗手臺的水都是經(jīng)過20道工序過濾，只保留了氫原子和氧原子的超純水?！爆F(xiàn)場工作人員介紹道。

IGBT是英文Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管芯片）的縮寫，主要用于變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電，被稱為電力電子裝置的“CPU”，可以直接控制直、交流電的轉(zhuǎn)換，決定驅(qū)動系統(tǒng)的扭矩（直接影響汽車加速能力）、最大輸出功率（直接影響汽車最高時速）等性能。

12月10日，比亞迪宣布研發(fā)出新一代車規(guī)級產(chǎn)品IGBT4.0，在芯片損耗和溫控能力兩大關鍵指標上，均取得突破。

“新能源汽車的核心要素是電流，IGBT的角色正是調(diào)節(jié)和控制電流?！北葋喌系诹聵I(yè)部兼太陽能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛總結道，“相當于動力電池產(chǎn)生了電，而IGBT馴化了電?！?

官方資料顯示，比亞迪在2003年進軍新能源汽車，2005年投入IGBT芯片研發(fā)，而在2008年10月，比亞迪通過收購寧波中緯半導體晶圓廠，走向IGBT生產(chǎn)之路。

近幾年，中國新能源汽車發(fā)展迅猛，IGBT已經(jīng)出現(xiàn)供不應求局面。今年3月，上汽與德國半導體巨頭英飛凌以51：49股比成立合資公司，生產(chǎn)并面向中國市場供應IGBT。已在半導體領域布局多年的比亞迪自然不甘繼續(xù)沉默。

新能源汽車供應鏈上的新蛋糕

2018年來，新能源汽車一直保持較為高速的發(fā)展。12月10日，全國乘用車市場信息聯(lián)席會（以下簡稱“乘聯(lián)會”）發(fā)布了11月我國乘用車產(chǎn)銷數(shù)據(jù)。11月的新能源車批發(fā)銷量達到13.6萬輛，環(huán)比增長19.1%，同比增長69%；其中插混同比增長87%，純電動同比增長65%。1~11月新能源乘用車批發(fā)88萬輛。

中國新能源汽車的快速增長，已經(jīng)推動國產(chǎn)動力電池公司寧德時代和比亞迪在全球裝車量中長期雄踞前三。而容易被人忽視的一個市場是，在新能源汽車成本結構中，IGBT也占據(jù)著5%的比例，僅次于動力電池。

除了成本比重高，IGBT的功能角色也相當關鍵，其為能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵技術。

有業(yè)內(nèi)人士指出，“對新能源車來說，電池、VCU、BSM、電機效率都缺乏提升空間，最有提升空間的當屬電機驅(qū)動部分，而電機驅(qū)動部分最核心的元件IGBT則是最需要重視的。”

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而且，隨著新能源汽車保有量上升，在車輛電控系統(tǒng)、充放電結構，以及充電樁當中，IGBT都會大有用武之地。

就行業(yè)現(xiàn)狀來看，IGBT市場一直被國際巨頭壟斷，90%的份額掌握在英飛凌、三菱等海外巨頭手中。

但目前困擾IGBT市場的問題，恰恰是產(chǎn)能不足。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，英飛凌IGBT的交付周期已經(jīng)達到12個月，國內(nèi)不少新能源車企的車輛交付因此受到影響。

“在產(chǎn)能方面，新能源汽車的發(fā)展會受限于電池以及IGBT產(chǎn)品的產(chǎn)能現(xiàn)狀。”比亞迪第六事業(yè)部兼太陽能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛介紹道。

而這或許已經(jīng)成為比亞迪，乃至上汽等國內(nèi)車企的掘金機會。

“今年年底，比亞迪寧波IGBT工廠的產(chǎn)能是月產(chǎn)5萬片晶圓，而到2020年，將實現(xiàn)月產(chǎn)10萬片晶圓，也就是年產(chǎn)120萬的產(chǎn)能?！标悇傉f，“因此，比亞迪決定從自給自足，開始面向全行業(yè)進行開放?！?

據(jù)透露，2019年，比亞迪將拿出部分產(chǎn)能面向其他新能源汽車廠商供應。

布局IGBT前端技術，做汽車界的“高通”

集成半導體行業(yè)一直是國內(nèi)企業(yè)的弱項，但是在IGBT所屬的功率半導體行業(yè)，比亞迪則有信心在全球市場與德國、日本形成三足鼎立局面。

據(jù)陳剛介紹，投入10余年研發(fā)后，比亞迪推出的IGBT4.0已經(jīng)在損耗和溫控能力兩大關鍵指標上均取得突破。例如，在綜合損耗相比當前市場主流產(chǎn)品降低了約20%，使得整車電耗降低。

“以全新一代唐為例，在其他條件不變的情況下，采用比亞迪的IGBT4.0，較采用當前市場主流的IGBT，百公里電耗少約3%?！?

而在溫度循環(huán)能力方面，IGBT4.0產(chǎn)品模塊的溫度循環(huán)壽命可以做到當前市場主流產(chǎn)品的10倍以上。

電流輸出能力方面，搭載IGBT4.0的V-315系列模塊在同等工況下較當前市場主流產(chǎn)品的電流輸出能力提升15%，支持整車具有更強的加速能力。

當然，技術的突破背后是工藝的突破。據(jù)鈦媒體了解，目前比亞迪已經(jīng)開始大規(guī)模應用1200V電壓的車規(guī)級IGBT芯片，而采用1200V FS技術的IGBT，需要將晶圓減薄到120um（約兩根頭發(fā)絲直徑）的厚度，再進行10余道工序加工。

據(jù)悉，當前IGBT主要的材料方案是硅基IGBT，而比亞迪已經(jīng)在第三代半導體SiC（碳化硅）的研發(fā)中進行大量投入。據(jù)悉，碳化硅IGBT能夠做到損耗更低、電流輸出能力更強。

特斯拉Model 3即采用了與意法半導體聯(lián)合開發(fā)的的650v 碳化硅功率器件Mosfet， 相比Model S采用的IGBT，實現(xiàn)了5-8%逆變器效率提升，這為Model 3的續(xù)航能力提升帶來不小幫助。

陳剛向鈦媒體表示，比亞迪基于碳化硅材料的IGBT芯片已大規(guī)模用于車載電源, 有望于2019年將推出搭載SiC電控的電動車不過，性能增強對應的是成本提升。

據(jù)悉，碳化硅IGBT比目前的硅基IGBT的成本高出8-10倍。但陳剛告訴鈦媒體，在成本控制上，比亞迪有獨有優(yōu)勢。

“碳化硅IGBT成本高的原因主要有兩個，一個是良率低，一個是沒有規(guī)?；瘧谩！标悇傉f，“價格和規(guī)?；瘧檬腔ハ嗝艿模葋喌蠐碛袕膭恿﹄姵?、電控系統(tǒng)到新能源汽車的完整上下游配合，可以幫助碳化硅IGBT降低成本?！?

陳剛預計，2023年，采用SiC基的半導體將全面替代硅基半導體（如硅基IGBT）。

而談到在半導體之路上的探索目標，陳剛表示，“我們立志于使比亞迪功率半導體芯片對于新能源汽車的意義，如高通之于手機、英特爾之于電腦?！?（本文首發(fā)鈦媒體，作者/李勤，編輯/趙宇航）

2018-12-12  來源：百家號/鈦媒體APP    

文章關鍵詞： 韋爾半導體股份  香港華清電子(集團)有限公司  比亞迪半導體  

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