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2016-10
LNA培訓(xùn)資料：WillSemi_RF_Solutions_V1.1
Dr.XiaoyongLi’sindustryexperiences 1、 QualcommInc.–RF/Analogprojectlead a. CDMA/GPSr...
19
2016-10
射頻開(kāi)關(guān)介紹資料：WillSemi_RF_Solutions_V1.1-1
射頻開(kāi)關(guān)介紹資料：WillSemi_RF_Solutions_V1.1-1...
20
2016-10
MOS管培訓(xùn)資料：Discrete-Roadmap-Willsemi?V1507
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21
2016-10
Schottky、MOSFET、Transistor、Charger、OVP 產(chǎn)品介紹
肖特基二極管基本特性：1、 正向?qū)?，反向截?2、超低的導(dǎo)通壓降、快速的反向恢復(fù)時(shí)間...
22
2016-10
MOS型號(hào)簡(jiǎn)易命名規(guī)TVS
MOS型號(hào)簡(jiǎn)易命名規(guī)TVS：ESD 5 X X X X-X / TR分別代表了什么？容值標(biāo)識(shí)？方向標(biāo)識(shí)？通道標(biāo)識(shí)？封裝代碼？引腳數(shù)量？包裝標(biāo)識(shí)？...
23
2016-10
MOS選型參數(shù)及典型應(yīng)用
MOS選型參數(shù)及典型應(yīng)用：1、漏極-源極最大耐壓 a. 應(yīng)大于應(yīng)用電壓的50%以上，可根據(jù)應(yīng)用環(huán)境來(lái)確定，如使用場(chǎng)合電壓波動(dòng)比較大， 建議VDS要大于應(yīng)用電壓100%以...
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2017-6
韋爾過(guò)壓防護(hù)推廣指南
韋爾過(guò)壓防護(hù)推廣指南...
27
2017-6
過(guò)壓防護(hù)推廣指南--網(wǎng)通
過(guò)壓防護(hù)推廣指南--網(wǎng)通...
28
2017-6
小功率TVS產(chǎn)品選型表
小功率TVS產(chǎn)品選型表...
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